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AO3406 N沟道MOSFET 30V 3.6A SOT-23/SC-59 marking/标记 A6P 低栅极电荷/

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皇冠app安卓下载_皇冠app官方版下载描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.065Ω/Ohm @3.6A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1V
耗散功率Pd Power Dissipation1.4W
Description & ApplicationsGeneral Description The AO3400 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3400 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3400L is a Green Product ordering option. AO3400 and AO3400L are electrically identical.
描述与应用AO3400采用先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON) 低栅极电荷和 操作与栅极电压低至2.5V。这 装置是适合用于作为负载开关或PWM 的应用程序。标准皇冠app安卓下载_皇冠app官方版下载AO3400是无铅 (符合ROHS&索尼259规格)。 AO3400L 是一种绿色皇冠app安卓下载_皇冠app官方版下载订购选项。 AO3400和 AO3400L是电相同
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