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FDC6305N 复合场效应管 25V 2.7A SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 marking/标记 305 DC/ DC转换器 负载开关 电机驱动

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皇冠app安卓下载_皇冠app官方版下载描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage25V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current2.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance120m?@ VGS = 2.5V, ID = 2.2A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.4~1.5V
耗散功率PdPower Dissipation960mW/0.96W
Description & ApplicationsDual N-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET General Description These N-Channel low threshold 2.5V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Applications ? Load switch ? DC/DC converter ? Motor driving Features ? Low gate charge (3.5nC typical). ? Fast switching speed. ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? SuperSOTTM-6 package: small footprint
描述与应用双N沟道2.5V额定功率沟槽MOSFET 概述 这些沟道低阈值2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程,已特别是针对减少通态电阻,但维持出色的开关性能低栅极电荷。 应用 ?负荷开关 ?DC/ DC转换器 ?电机驱动 特点 ?低栅极电荷(3.5nC典型值)。 ?快速开关速度。 ?高性能沟道技术极低的RDS(ON) ?SuperSOTTM-6包装:占地面积小
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